半导体中载流子的漂移

太阳能发电组件半导体内载流子在电场驱动下运动时，会不断受到各种散射，如电离杂质原子的散射、晶格热振动引起的散射、位错等晶格缺陷引起的散射等，使得载流子不能在电场作用下一路加速直线运动，而是跌跌撞撞地不断被散射改变方向，只是大致沿电场确定的方向运动，因而得名“漂移”。各种散射综合总体作用体现为载流子的有限的迁移率。其物理意义为单位电场强度作用下，载流子的平均漂移速度，常温下太阳能发电高纯硅晶体中电子的迁移率，空穴的迁移率。如所预期，空穴的迁移率明显低于电子的迁移率。随温度上升，晶格热振动散射会增强；随掺杂浓度提高，杂质粒子散射会增强。它们都会使迁移率降低。迁移率与半导体电阻率p有简单关系。 　　

半导体电阻率可以很容易测得，依此曲线我们可以掌握其中杂质掺杂浓度，相当于一个工具。 当然我们需知道掺杂的类型；还需注意，该曲线是在无杂质补偿或较轻补偿条件下得到的，当我们的材料补偿较重时，迁移率会偏低，使电阻率会偏高，因而依此曲线估计的净掺杂浓度会偏低。如假定迁移率不随掺杂浓度变化，则可以较快捷地由电阻率近似估算掺杂浓度。同时对硅画出了这种估算曲线，可以看到其误差在较低掺杂浓度范围（对n型低于1017，对p型低于1018) 尚较小，且由电阻率估算的掺杂浓度都属偏高；超过此范围则误差较大，而且估算误差变为偏低。

太阳能发电半导体内的电子不停的运动，不断的受到各种的折射，被称之“漂移”。半导体电阻率很容易测得的，我们可以掌握其中的杂质掺杂浓度，相当于一个工具。

更新时间：2015-5-29 11:49:03
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